Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQPF10N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 9.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF10N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 610 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2096пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF10N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5А 50Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 730 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 2040пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF11N40C Транзистор полевой N-канальный 400В 10.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF11N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF12N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 51Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF12P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 8.2А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF13N06L Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 24Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF13N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100В 8.7А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении

FQPF13N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF15P12 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 15A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 1100пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF16N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 12А 0,16 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF16N25C Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 15.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF18N50V2 Полевой транзистор, N-канальный, 500В 18А 69Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении

FQPF19N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 11.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.8A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF20N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF20N06L Транзистор полевой N-канальный 60В 15.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF22P10 Полевой транзистор P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении