Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQP4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4A 140Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 4.2 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP4P40 Транзистор полевой P-канальный 400В 3.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP50N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52.4A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 121Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP55N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 155Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP5N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP65N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1310пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP6N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP70N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP7P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 410 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP85N06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 85 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP8N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 178Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP8N90C Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 171Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP8P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9N30 Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 98Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9P25 Транзистор полевой P-канальный 250В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении