Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQP22N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 21А 170Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP27N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 25.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP2N90 Транзистор полевой N-канальный 900В 2.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 7.2 Ом Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

FQP30N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 945пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 28A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP33N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 127Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP34N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 31A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP3N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP3N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 565пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP3N80C Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 705пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP3P20 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP3P50 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.7A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.7А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP44N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5А 146Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43.5A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 146Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP45N15V2 Транзистор полевой N-канальный 150В 45A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 3030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP46N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 45.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 45.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP47P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP4N80 Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении