Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQN1N50CTA Транзистор полевой N-канальный 500В 380мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 380мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 890мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQN1N60CTA Транзистор полевой N-канальный 600В 300мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQNL2N50BTA Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 0.35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92MOD

Сообщить о поступлении

FQP10N20C Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP11P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 11.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP12N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP12P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP12P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13А 0.135 Ом, 45Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP13N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 430 мОм @ 6.25А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 10В Входная емкость: 2300пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP13N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 195Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP14N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 14.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 14.4A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP17N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 16А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP17P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP17P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP19N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 19.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 590пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении