Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1204)

CPH6350-TL-W Транзистор полевой P-канальный 30В 6A 6-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPH6354-TL-W Полевой транзистор P-канальный -60В -4A 100мОм Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Тип транзистора: P-канал

Сообщить о поступлении

CPH6445-TL-W Полевой транзистор N-канальный 60В 3.5A 6-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCA16N60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCA20N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCA22N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCA36N60NF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34.9A(Tc) Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 112нКл @ 10В Входная емкость: 4245пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCA47N60F Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 47 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 73 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCA47N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCB070N65S3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44А 0.070 Ом, 312Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK-3

Сообщить о поступлении

FCB36N60NTM Транзистор полевой N-канальный 600В 36A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FCD380N60E Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 106Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD5N60-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.6А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD5N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 950 мОм @ 2.3А, 10В Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD600N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD900N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD9N60NTM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 92.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17.8нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCH023N65S3L4 SUPERFET MOSFET N-Channel 650 V, 75 A, 23 mOh Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-4L Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 75А Сопротивление открытого канала: 23мОм Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

FCH023N65S3_F155 Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 75А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH041N60E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 77 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 77A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 592Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 380нКл Входная емкость: 13700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении