Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQD5N15TM Полевой транзистор N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5N20LTM Транзистор полевой N-канальный 200В 3.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 3.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N40CTM Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 625пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N50CTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 5.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N20LTM Транзистор полевой N-канальный 200В 5.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 5.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 451 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 5.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD8P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD8P10TM_F085 Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD9N25TM Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQH8N100C Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQI13N50CTU Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK

Сообщить о поступлении

FQI27N25TU Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQI4N80TU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQL40N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении