Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FQD13N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD16N25CTM Транзистор полевой N-канальный 250В 16А 270 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53.5нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD17P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 135 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 135 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD18N20V2TM Транзистор полевой N-канальный 200В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD19N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD19N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 15.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FQD1N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 20 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.2нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD20N06TM Транзистор полевой N-канальный 60В 16.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16.8A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N100TM Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.5нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N60CTM Транзистор полевой N-канальный 600В 1.9А 4.7 Ом, 44Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N80TM Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N90TM Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 7.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD2P40TM Полевой транзистор, P-канальный, 400 В, 1.56 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.56A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD30N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22.7A DPAK-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 11.4А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 945пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FQD3N60CTM_WS Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 565пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD3P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 4.9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD4N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD4N25TM_WS Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.75 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD4P25TM_WS Транзистор полевой P-канальный 250В 3.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 2.1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD4P40TM Транзистор полевой P-канальный 400В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: