- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FQD13N10TM
Транзистор полевой N-канальный 100В 10A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD16N25CTM
Транзистор полевой N-канальный 250В 16А 270 мОм
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 53.5нКл
Входная емкость: 1080пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD17P06TM
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 135 мОм
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 135 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD18N20V2TM
Транзистор полевой N-канальный 200В 15A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 1080пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD19N10LTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 15.6A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD19N10TM
Транзистор полевой N-канальный 100В 15.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 15.6A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
FQD1N80TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 20 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 7.2нКл
Входная емкость: 195пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD20N06TM
Транзистор полевой N-канальный 60В 16.8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 16.8A
Сопротивление открытого канала: 63 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 590пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N100TM
Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 9 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15.5нКл
Входная емкость: 520пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N60CTM
Транзистор полевой N-канальный 600В 1.9А 4.7 Ом, 44Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.9A
Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 235пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N80TM
Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N90TM
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 7.2 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD2P40TM
Полевой транзистор, P-канальный, 400 В, 1.56 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 1.56A
Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD30N06TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22.7A DPAK-3
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 22.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 11.4А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 25нКл @ 10В
Входная емкость: 945пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
FQD3N60CTM_WS
Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 565пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD3P50TM
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.1A
Сопротивление открытого канала: 4.9 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD4N20TM
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 6.5нКл
Входная емкость: 220пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD4N25TM_WS
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 1.75 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 5.6нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD4P25TM_WS
Транзистор полевой P-канальный 250В 3.1A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 2.1 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 420пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD4P40TM
Транзистор полевой P-канальный 400В 2.7A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара