Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FQB50N06LTM Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52.4A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB50N06TM Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB55N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 55А 26 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB5N50CTM Транзистор полевой N-канальный 500В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 73Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 625пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB5N90TM Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB6N80TM Транзистор полевой N-канальный 800В 5.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 1.95 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB7N60TM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 74 А, 1000 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1430пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB7P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 7.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB8P10TM Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQB9N50CTM Транзистор полевой N-канальный 500В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD10N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 7.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD10N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD11P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD12N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD12N20LTM-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD12N20LTM_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Сообщить о поступлении
FQD12N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD13N06LTM Транзистор полевой N-канальный 60В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD13N06TM Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FQD13N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль