Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQA9P25 Транзистор полевой P-канальный 250В 10.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

FQAF11N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQAF13N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQAF16N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 11.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB11P06TM Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 11.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-263-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB19N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQB19N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB19N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB1P50TM Транзистор полевой P-канальный 500В 1.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB22P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB27P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 27A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB30N06LTM Транзистор полевой N-канальный 60В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB33N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB33N10TM Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 33 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB44N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43.5A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQB46N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 45А 210Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 45A Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

FQB47P06TM_AM002 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 47 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB4N80TM Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении