Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FQA160N08 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 160 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA170N06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 170 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 9350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA19N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 18.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA24N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 23.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 23.5A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA27N25 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 27 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA28N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 227Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA32N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 204Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA36P15 Транзистор полевой P-канальный 150В 36А 294Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 3320пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA40N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA46N15 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA55N25 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 6250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA62N25C Транзистор полевой N-канальный 250В 62A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 298Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 6280пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA65N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA6N90C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA70N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 70A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 175нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA7N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA8N100C Транзистор полевой N-канальный 1000В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA90N15 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N)

Сообщить о поступлении

FQA9N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении