Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDV304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 63пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV305N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 109пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDWS86369-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 65А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDWS9508L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 80A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDWS9509L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 65А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY100PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 350 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY101PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 150 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY102PZ Транзистор полевой P-канальный 20В 830мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 830мА Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 3.1нКл Входная емкость: 135пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY2000PZ Полевой транзистор P-канальный 20В 0.35A 6-Pin SOT-563F лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563F Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 0.35A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY300NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 600 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDY301NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.2А 5 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY302NZ Транзистор полевой N-канальный 20В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDZ661PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WLSP4

Сообщить о поступлении

Новинка

FGB20N60SFD_F085 Транзистор биполярный IGBT N-канальный 600В 40А 208Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 40А Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FGH25T120SMD-F155 Транзистор биполярный IGBT N-канальный 1200В 50A 428Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 50А Мощность макс.: 428Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA10N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA11N90-F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P туба Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11.4А Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

Акция

FQA11N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA13N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 218Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA13N80_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12.6A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении