Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

Акция

FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8896 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS9400A Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N

Сообщить о поступлении

FDS9431A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 528пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT3612 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 632пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDT3N40TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT434P Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1187пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT458P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 3.5нКл Входная емкость: 205пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT459N Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86106LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 108 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86113LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 3.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 128 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 395пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86246 Транзистор полевой N-канальный 150В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 236 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 215пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV301N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.06В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 9.5пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

20 710 шт

Цена от:

от 3,33₽

Акция

FDV302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 120мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.31нКл Входная емкость: 11пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 680мА Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.3нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

80 441 шт

Цена от:

от 3,43₽