Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDS6692A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 1.47Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6699S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8433A Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8447 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12.8A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8449 Транзистор полевой N-канальный 40В 7.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86106 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 208пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86140 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.2A Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2580пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86141 Транзистор полевой N-канальный 100В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 934пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86240 Транзистор полевой N-канальный 150В 7.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 19.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 67 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86252 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 955пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8638 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 5680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8672S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8690 Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8813NZ Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 4145пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8817NZ Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8840NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18.6A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 144нКл Входная емкость: 7535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8842NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 14.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 3845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8878 Транзистор полевой N-канальный 30В 10.2А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8

Сообщить о поступлении