Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDS6570A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6574A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 7657пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6575 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 4951пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6576 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 4044пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6612A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7.6нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6630A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6670AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6673BZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 14.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6675BZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6675BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS6676AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14.5А 1.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6679 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6679AZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 3845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6680A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6680AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6681Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 260нКл @ 10В Входная емкость: 7540пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6682 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 14 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 2310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1205пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении