Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDS3692 Полевой транзистор N-канальный 100В 4.5A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 746пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4141 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4141-F085 Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

FDS4410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4410A Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1205пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS4435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (рекомендуемая замена: FDS4435BZ) Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1604пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4465 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 8237пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4480 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1686пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4672A Транзистор полевой N-канальный 40В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 4766пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4675 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4685 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1872пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5351 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5670 Транзистор полевой N-канальный 60В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A 8-SOIC Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5680 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5690 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1107пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6294 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11.3 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1205пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS6298 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1108пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6375 Транзистор полевой P-канальный 20В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2694пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении