Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1204)
BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0,17A 0,36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,40
BSS123L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 21.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,40
BSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
100 339 шт
Цена от:
от 1,40
BSS138 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 220мА 0.36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.4нКл Входная емкость: 27пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,90
BSS138K Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 220 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
332 139 шт.
Цена от:
от 0,90
Акция BSS138L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.4нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,90
BSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,90
BSS138LT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,90
BSS138W Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0,21A SOT323 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 210мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом @ 220mА, 10В Мощность макс.: 340мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В @ 1mA Заряд затвора: 1.1нКл @ 10В Входная емкость: 38пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
378 743 шт
Цена от:
от 1,33
BSS138W Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 0.21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
BSS138_D87Z Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 0.22 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
332 139 шт.
Цена от:
от 0,90
Акция BSS84 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.3нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
470 980 шт
Цена от:
от 1,11
BSS84LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
470 980 шт
Цена от:
от 1,11
Акция BUZ11 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 30 А, 75 Вт, 0.04 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
BVSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция BVSS84LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.2нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount
CPH3350-TL-W Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-CPH
CPH3351-TL-W Транзистор полевой P-канальный 60В 1.8A 3-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Тип транзистора: P-канал
На странице: