Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDPF55N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF5N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF5N50T Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF5N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF5N60NZ Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF7N50U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 39Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF7N60NZ Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF7N60NZT Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF8N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF8N50NZU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом @ 4А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 735пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF8N50NZU Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении

FDPF8N60ZUT Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом Мощность макс.: 34.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1265пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS2582 Транзистор полевой N-канальный 150В 4.1A Aвтомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2670 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1228пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2672 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2734 Транзистор полевой N-канальный 250В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3572 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1990пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS3580 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3590 Транзистор полевой N-канальный 80В 6.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 7.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении