Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDP8896 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 92 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP8N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF045N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 67 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 67A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FDPF10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1475пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF10N60ZUT Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1980пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF12N50FT Транзистор полевой N-канальный 500В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1395пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FDPF12N50UT Полевой транзистор, N-канальный, 500В 10А 42Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1395пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF12N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1676пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF15N65 Транзистор полевой N-канальный 650В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 440 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3095пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF16N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1945пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18А Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
FDPF18N50T Транзистор полевой N-канальный 500В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF20N50FT Транзистор полевой N-канальный 500В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3390пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 38.2 мОм Мощность макс.: 33.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF39N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF3N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF44N25T Транзистор полевой N-канальный 250В 44A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 2870пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF4N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.8нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FDPF51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 28А Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канальный
FDPF51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 28А Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канальный
На странице: