- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDP8896
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 92 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 67нКл
Входная емкость: 2525пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDP8N50NZ
Транзистор полевой N-канальный 500В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 139Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 735пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF045N10A
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 67 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 67A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 74нКл
Входная емкость: 5270пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
FDPF10N60NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1475пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF10N60ZUT
Транзистор полевой N-канальный 600В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1980пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF12N50FT
Транзистор полевой N-канальный 500В 11.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11.5A
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1395пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
FDPF12N50UT
Полевой транзистор, N-канальный, 500В 10А 42Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1395пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF12N60NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 650 мОм
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1676пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF15N65
Транзистор полевой N-канальный 650В 15A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 440 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 3095пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF16N50
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1945пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF18N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18А
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
FDPF18N50T
Транзистор полевой N-канальный 500В 18A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 265 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2860пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF20N50FT
Транзистор полевой N-канальный 500В 20A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 260 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 3390пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
FDPF3860T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 38.2 мОм
Мощность макс.: 33.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF39N20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 39A
Сопротивление открытого канала: 66 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 2130пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF3N50NZ
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 9нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF44N25T
Транзистор полевой N-канальный 250В 44A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 44A
Сопротивление открытого канала: 69 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 2870пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF4N60NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 28Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 10.8нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
FDPF51N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 28А
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канальный
FDPF51N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 28А
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канальный
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара