Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDP3651U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 5522пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP3652 Транзистор полевой N-канальный 100В 61A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP3672 Транзистор полевой N-канальный 105В 41A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 105В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1670пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP42AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 51A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 320Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3410пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP55N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP5800 Транзистор полевой N-канальный 60В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 242Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 9160пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP5N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP6030BL Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP65N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP7030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1760пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP75N08A Транзистор полевой N-канальный 75В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 137Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4468пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP7N60NZ Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 730пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 176Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 74нКл @ 10В Входная емкость: 3190пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP8447L Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 156 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 132нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP8874 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 114 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP8880 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль