Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDP100N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А, 0.01 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP10N60NZ Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 185Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1475пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP120N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 74A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 5605пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP12N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 11.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1235пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP12N60NZ Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1676пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP150N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP150N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 145 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 10В Входная емкость: 1180пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDP18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 18А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP20N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 59.5нКл Входная емкость: 3120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP22N50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 312.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP24N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 10В Входная емкость: 3020пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 33А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 107нКл @ 10В Входная емкость: 5870пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2552 Транзистор полевой N-канальный 150В 37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 29A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP26N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 26A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 26А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 42.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 101нКл @ 10В Входная емкость: 7280пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP33N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 2135пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 6000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении