Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDN8601 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDN86246 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 261 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
FDP020N06B_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 268нКл Входная емкость: 20930пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP025N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 395Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 226нКл Входная емкость: 14885пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP027N08B-F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 80В 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 23А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP030N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 120A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 151нКл Входная емкость: 9815пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP030N06B_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 99нКл Входная емкость: 8030пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 15160пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP036N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7295пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP045N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 263Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP047AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP047N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 164A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 164A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 268Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 152нКл Входная емкость: 9415пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP047N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 120A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 15265пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80А 245Вт, 4,3 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP054N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 263Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 203нКл Входная емкость: 13280пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP060AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP075N15A_F102 Транзистор полевой N-канальный 150В 130A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 7350пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP083N15A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 83 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 83A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 6040пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP085N10A-F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 96 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 96A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2695пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
FDP090N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 8225пФ Тип монтажа: Through Hole
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль