Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN308P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 341пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.3нКл Входная емкость: 423пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN336P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN338P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.6А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 451пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 166 шт

Цена от:

от 2,92₽

FDN339AN Транзистор полевой N-канальный 20В 3А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN340P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А, 0,5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 779пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN342P Транзистор полевой P-канальный 20В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN352AP Транзистор полевой P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 1.9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDN357N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 5.9нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN359AN Транзистор полевой N-канальный 30В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN359BN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN360P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 298пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN361BN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 1.8нКл Входная емкость: 193пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5618P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.25A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 13.8нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 950 шт

Цена от:

от 7,22₽

FDN5630 Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5632N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 475пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении