Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDMS86201 Полевой транзистор, N-канальный, 120 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2735пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8622 Транзистор полевой N-канальный 100В 4.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86250 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 6.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86252 Транзистор полевой N-канальный 150В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 51 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86263P Транзистор полевой P-канальный 150В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 53 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3905пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86300 Транзистор полевой N-канальный 80В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 7082пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86300DC Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 24 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 101нКл Входная емкость: 7005пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

FDMS86350ET80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 10680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86500DC Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 29 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 7680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86500L Транзистор полевой N-канальный 60В 25A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 12530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86520 MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A(Ta),42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.4 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 40нКл @ 10В Входная емкость: 2850пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86520L Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 13.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 4615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86550 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A(Ta),155A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.65 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 154нКл @ 10В Входная емкость: 11530пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8670S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A POWER56 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A(Ta),35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 10В Входная емкость: 1590пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8820 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS9409-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 65A автомобильного применения 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 65А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDN302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 882пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN304P Транзистор полевой P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1312пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN304PZ Транзистор полевой P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении