- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDMS7672AS
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 2820пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7676
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 2960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7682
Транзистор полевой N-канальный 30В 22A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1885пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7692
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 14 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7692A
Транзистор полевой N-канальный 30В 13.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13.5A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7694
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13.2A
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1410пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS8025S
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 47нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS8027S
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1815пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS8050ET30
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 55А
Тип транзистора: N-канальный
FDMS8320L
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 36 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 36A
Сопротивление открытого канала: 1.1 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 11110пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86101
Транзистор полевой N-канальный 100В 12.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12.4A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86101A
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 4120пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86101DC
Транзистор полевой N-канальный 100В 14.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 14.5A
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 3135пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86102LZ
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1305пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86103L
Транзистор полевой N-канальный 100В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 3710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86104
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 923пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86150
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 16 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 4.85 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 62нКл
Входная емкость: 4065пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86152
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 3370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86200
Транзистор полевой N-канальный 150В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 9.6A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 2715пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86200DC
Полевой транзистор N-канальный 150В 9.3A POWER 56
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 9.3A(Ta),28A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 17 мОм @ 9.3А, 10В
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 42нКл @ 10В
Входная емкость: 2955пФ @ 75В
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара