Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDMS3660AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A/30A 8-Pin Power 56 EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A,30A Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 13А, 10В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS3662 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 49 А, 0.148 Ом, 104 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 14.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 4620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS3672 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS4435BZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS5352 Транзистор полевой N-канальный 60В 13.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 6.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 131нКл Входная емкость: 6940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS6673BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 15.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15.2A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5915пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

FDMS6681Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 21.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21.1A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 241нКл Входная емкость: 10380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7556S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 133нКл Входная емкость: 8965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7558S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 119нКл Входная емкость: 7770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7560S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 5945пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7570S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4515пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7580 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7650 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 0.99 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 209нКл Входная емкость: 14965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7656AS Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-PQFN (5x6), Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 133нКл Входная емкость: 8705пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7658AS Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 109нКл Входная емкость: 7350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7660 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 5565пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7660AS Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 6120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4105пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7670AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 4225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7672 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении