- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDMC8882
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10.5A
Сопротивление открытого канала: 14.3 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 945пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8884
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 685пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMD8240L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A 12-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 23А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FDMD8530
Полевой транзистор N-канальный 30В 35A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 35A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
FDMD8560L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 93A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 93а
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FDMD8680
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 66A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 66А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FDME510PZT
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6(1.6x1.6)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 37 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDME820NZT
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6(1.6x1.6)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 9A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9А, 4.5В
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA
Заряд затвора: 8.5нКл @ 4.5В
Входная емкость: 865пФ @ 10В
Тип монтажа: Surface Mount
FDME905PT
Полевой транзистор, P-канальный, 12 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFet 1.6x1.6
FDME910PZT
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6(1.6x1.6)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 2110пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDML7610S
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 8-MLP (3x4.5)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12A,17A
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.: 800мВт, 900мВт
Тип транзистора: 2N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS0309AS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A PT8
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 21A(Ta),49A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 1mA
Заряд затвора: 47нКл @ 10В
Входная емкость: 3000пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS0312S
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 2820пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS10C4D2N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS1D5N03
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 218А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS2572
Транзистор полевой N-канальный 150В 4.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 47 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 2610пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS2672
Транзистор полевой N-канальный 200В 3.7A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.7A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 2315пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS2734
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 2.8A
Сопротивление открытого канала: 122 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 2365пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS3500
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 9.2 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 91нКл
Входная емкость: 4765пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS3572
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 8.8A
Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 2490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара