Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1204)
2SK4177-DL-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 13 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 37.5нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция 2SK793 Полевой транзистор, N-канальный, 850В 5А 150Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P
Акция 2V7002KT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка 2V7002LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2V7002LT3G Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2V7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
ATP114-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A ATPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A(Ta) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 92нКл @ 10В Входная емкость: 4000пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
ATP301-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
ATP302-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Surface Mount
BBS3002-DL-1E MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Акция BS107A Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.25 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead
BS107ARL1G Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 250 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
BS108ZL1G Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Through Hole
BS170 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5А 0.83Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Through Hole
BS170_D26Z Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Through Hole
BS170_D27Z Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Through Hole
BS170_D74Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500MA TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Тип транзистора: N-канальный
BS170_D75Z Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Through Hole
BS270 Транзистор полевой N-канальный 60В 400мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole
BS270_D74Z Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 400 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
На странице: