- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDMC8554
Транзистор полевой N-канальный 20В 16.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 16.5A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 62нКл
Входная емкость: 3380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86102
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 965пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86102L
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1330пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86102LZ
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1290пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86116LZ
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 103 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86139P
Транзистор полевой P-канальный 100В 4.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 67 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1335пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86160
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1290пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8622
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 56 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 7.3нКл
Входная емкость: 402пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86240
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 16 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 4.6A
Сопротивление открытого канала: 51 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 905пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86244
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 2.8A
Сопротивление открытого канала: 134 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 5.9нКл
Входная емкость: 345пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86259P
Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 13 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 107 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 2045пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86260
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5.4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 5.4A
Сопротивление открытого канала: 34 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 1330пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86261P
Транзистор полевой P-канальный 150В 2.7A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 1360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86262P
Полевой транзистор P-канальный 150В 2A 8-Pin MLP EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 307 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±25В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 885пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86324
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 965пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86340ET80
MOSFET N-CH 80V 48A POWER33
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: ''
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 48А
Тип транзистора: N-канальный
FDMC8651
Транзистор полевой N-канальный 30В 15A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 6.1 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 27.2нКл
Входная емкость: 3365пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86520L
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 13.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 13.5A
Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 4550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8854
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 57нКл
Входная емкость: 3405пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8878
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9.6 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 9.6A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 1230пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара