Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDMC8554 Транзистор полевой N-канальный 20В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3380пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 965пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86102L Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86102LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86116LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 103 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86139P Транзистор полевой P-канальный 100В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 67 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1335пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86160 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8622 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.3нКл Входная емкость: 402пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86240 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 51 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.9нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86259P Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2045пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86260 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86261P Транзистор полевой P-канальный 150В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86262P Полевой транзистор P-канальный 150В 2A 8-Pin MLP EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 307 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±25В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 885пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86324 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 965пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86340ET80 MOSFET N-CH 80V 48A POWER33 Производитель: ON Semiconductor Корпус: '' Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 48А Тип транзистора: N-канальный
FDMC8651 Транзистор полевой N-канальный 30В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.1 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 27.2нКл Входная емкость: 3365пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86520L Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 13.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 4550пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8854 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 3405пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8878 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: