Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDMC6675BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 9.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: MLP (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2865пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC6679AZ Транзистор полевой P-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3970пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7570S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 4410пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7660 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 4830пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7660DC Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 5170пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка FDMC7660S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 4325пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7664 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18.8A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 4865пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7672S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.8A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2520пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7678 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 17.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7680 Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.8A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2855пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7692 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.3A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7692S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1385пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7696 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1430пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8010 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 5860пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8015L Транзистор полевой N-канальный 40В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 945пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8032L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7A 8-Pin MLP EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8321L Полевой транзистор, N-канальный, 44 В, 22 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8327L Транзистор полевой N-канальный 40В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-MLP (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.7 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8360L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A POWER33 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 27A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 27А, 10В Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 80нКл @ 10В Входная емкость: 5795пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8462 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 14 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: