Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDMA410NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA420NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 935пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA507PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA510PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA520PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1645пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA530PZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA7632 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6

Сообщить о поступлении

FDMA7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MLP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA8051L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 1260пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA86551L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MicroFET (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 1235пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA905P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MLP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 3405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC0310AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A 8QFN Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A(Ta),21A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм @ 19А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 1mA Заряд затвора: 52нКл @ 10В Входная емкость: 3165пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2523P Транзистор полевой P-канальный 150В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2610 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2674 Транзистор полевой N-канальный 220В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 220В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 366 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC3612 Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC4435BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 8.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2045пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC510P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 5.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении