Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDD86252 Транзистор полевой N-канальный 150В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD86326 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8647L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD86540 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21.5A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 6340пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD86581-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 25А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
FDD8778 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8780 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8782 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 5160пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8880 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5А 90Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.5A Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал
FDD9407_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 6390пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD9409_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDFM2P110 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET 3x3mm Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2N028Z Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 455пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2P029Z Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2P853 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA3N109 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 123 мОм Мощность макс.: 650мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDFS2P106A Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 714пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: