- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1207)
FDD86252
Транзистор полевой N-канальный 150В 5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 985пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD86326
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 1035пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8647L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 1640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD86540
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 21.5A
Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 90нКл
Входная емкость: 6340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD86581-F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 25А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8778
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 845пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8780
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 1440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8782
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 11 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 1220пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8870
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 118нКл
Входная емкость: 5160пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8880
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8896
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2525пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8N50NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5А 90Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 6.5A
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
FDD9407_F085
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 2 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 112нКл
Входная емкость: 6390пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD9409_F085
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 90 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 90A
Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 3130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFM2P110
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET 3x3mm
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 4нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2N028Z
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.7A
Сопротивление открытого канала: 68 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 455пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2P029Z
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 720пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2P853
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 435пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA3N109
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.9A
Сопротивление открытого канала: 123 мОм
Мощность макс.: 650мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 3нКл
Входная емкость: 220пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFS2P106A
Транзистор полевой P-канальный 60В 3A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 714пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара