Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDD6690A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50FTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 19.8нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 900 мОм @ 3А, 10В Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 16.6нКл @ 10В Входная емкость: 9400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50TM-F085 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50TM-WS Транзистор полевой N-канальный 500В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD770N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 56.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 765пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD7N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD7N25LZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2A DPAK-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 6.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 550 мОм @ 3.1А, 10В Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 635пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD7N60NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8444 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 145 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 145A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 153Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 6195пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8444L_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 153Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8445 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4050пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 44Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8451 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 990пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD850N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 28.9нКл Входная емкость: 1465пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86102LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86110 Транзистор полевой N-канальный 100В 12.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2265пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86250 Транзистор полевой N-канальный 150В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении