Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDD5612 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 759пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5670 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 2739пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5680 Полевой транзистор N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1835пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5690 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5810_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5N50FTM-WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.5А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 4А 62Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4A Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

Акция

FDD5N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 40Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

FDD5N60NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6530A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6612A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9.4нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6630A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 462пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 35В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6637 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 35В 55А 3.1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 35В Ток стока макс.: 55А Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канальный

Сообщить о поступлении

Акция

FDD6637 Полевой транзистор, P-канальный, 35 В, 55 А, 3.1 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

FDD6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6680AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6685 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1715пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6688 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 84 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении