Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1207)

FDC021N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.1A 6-Pin TSOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.1А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC2512 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 425 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 344пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC2612 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 725 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 234пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3512 Транзистор полевой N-канальный 80В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 634пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3535 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 183 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3612 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC365P Полевой транзистор, P-канальный, 35 В, 4.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6

Сообщить о поступлении

FDC5612 Транзистор полевой N-канальный 60В 4.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 759пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5661N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 763пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC602P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1456пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC604P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1926пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC606P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1699пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC608PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC610PZ Транзистор полевой P-канальный 30В 4.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1005пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC634P Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 779пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637AN Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1125пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637BNZ Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 895пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDC638APZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC638P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении