Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1204)
Акция 2N7000 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,58
2N7000-D26Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200MA TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,58
2N7000BU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,58
2N7000TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,58
2N7000_D26Z Транзистор полевой N-канальный 60В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,58
Акция 2N7002 Транзистор полевой N-канальный 60В 200мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
399 991 шт
Цена от:
от 0,67
2N7002ET1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 260мА Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.81нКл Входная емкость: 26.7пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка 2N7002K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002KT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002KW Полевой транзистор N-канальный 60В 0.31A 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
2N7002LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
29 763 шт
Цена от:
от 0,92
2N7002LT3G Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002T Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT523F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002W Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
89 249 шт
Цена от:
от 1,01
2N7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
89 249 шт
Цена от:
от 1,01
2SK3745LS-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 13 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 37.5нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Through Hole
2SK3746-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 13 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 37.5нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Through Hole
2SK3747-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF-3 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 13 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 37.5нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Through Hole
2SK3748-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF-3 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole
2SK4125-1E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 610 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице: