- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (269)
BUK9611-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 182Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 48.8нКл @ 5В
Входная емкость: 7149пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9614-60E,118
Транзистор полевой N-канальный 60В 56A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 12.8 мОм
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 20.5нКл
Входная емкость: 2651пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9615-100A,118
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
BUK9615-100A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Входная емкость: 8600пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK961R6-40E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 120нКл @ 5В
Входная емкость: 16400пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9624-55A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 46A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 46A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 21.7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 105Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Входная емкость: 1815пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9637-100E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 31A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 36 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 22.8нКл @ 5В
Входная емкость: 2681пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9640-100A,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 39A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 39A
Сопротивление открытого канала: 39 мОм
Мощность макс.: 158Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 3072пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R2-55B,118
Транзистор полевой N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 95нКл @ 5В
Входная емкость: 10220пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R2-80E,118
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 120 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 349Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 123нКл
Входная емкость: 17130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R4-40B,118
Транзистор полевой N-канальный 40В 174A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 254Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 7124пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R8-60E,118
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм
Мощность макс.: 234Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 9710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK98150-55A/CUF
Транзистор полевой N-канальный 55В 5.5A SOT223
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 5.5A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
BUK98180-100A/CUX
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.6A SOT223
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.6A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9832-55A/CUX
Транзистор полевой N-канальный 55В 12A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 12A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
BUK9840-55/CUX
Trans MOSFET N-CH 55V 10.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Производитель: NEXPERIA
BUK9875-100A/CUX
Транзистор полевой N-канальный 100В 7A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
BUK9880-55A/CUX
Транзистор полевой N-канальный 55В 7A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 7A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
BUK9E08-55B,127
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
BUK9E08-55B,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный TRENCH 55В I2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 203Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 45нКл @ 5В
Входная емкость: 5280пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара