Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (269)
PSMN045-80YS,115 Транзистор полевой N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN063-150D,118 MOSFET N-CH 150V 29A DPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D-Pak (TO-252AA)
PSMN069-100YS,115 Полевой транзистор, N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 72.4 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 645пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN070-200P,127 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 35 А Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB
PSMN075-100MSEX Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 71 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.4нКл Входная емкость: 773пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN0R7-25YLDX Полевой транзистор N-канальный 25В 300A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 300A Сопротивление открытого канала: 0.72 мОм Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 110.2нКл Входная емкость: 8320пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN102-200Y,115 Транзистор полевой N-канальный 200В 21.5A Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21.5A Сопротивление открытого канала: 102 мОм Мощность макс.: 113Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30.7нКл Входная емкость: 1568пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R1-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 243нКл Входная емкость: 14850пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN1R2-25YL,115 Транзистор полевой N-канальный 25В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 121Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 6380пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R7-60BS,118 Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 9997пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R8-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 10180пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R0-30PL,127 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 211Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 6810пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R0-60ES,127 Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 9997пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R4-30MLDX Полевой транзистор N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 3264пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN2R4-30YLDX Транзистор полевой N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 31.3нКл Входная емкость: 2256пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN2R9-30MLC,115 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 36.1нКл Входная емкость: 2419пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN3R5-80PS,127 Транзистор полевой N-канальный 80В 120A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 139нКл Входная емкость: 9961пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN4R4-80PS,127 Транзистор полевой N-канальный 80В 100A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 8400пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN4R5-40PS,127 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 148Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42.3нКл Входная емкость: 2683пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN4R8-100BSEJ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В 120 А 405 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120А Мощность макс.: 405Вт Тип транзистора: N-канальный
На странице: