Одиночные MOSFET транзисторы Microchip Technology Inc.

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
2N7000-G 2N7000-G Транзистор полевой N-канальный 60В 200мА
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO92-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
21 655 шт
Цена от:
от 3,90
APT5018SFLLG
Производитель:
Microchip Technology Inc.
APT7M120B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 8A TO247
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-247 [B]
Напряжение исток-сток макс.:
1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.:
8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом @ 3А, 10В
Мощность макс.:
335Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 1mA
Заряд затвора:
80нКл @ 10В
Входная емкость:
2565пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
DN2540N8-G DN2540N8-G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 170мА
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
25 Ом
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DN3135K1-G DN3135K1-G Полевой транзистор N-канальный 350В 0.072A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
350В
Ток стока макс.:
72мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
35 Ом @ 150mА, 0В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
DN3545N3-G DN3545N3-G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 0.136А 0.74Вт
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO92-3
Напряжение исток-сток макс.:
450В
Ток стока макс.:
136мА
Мощность макс.:
0.74Вт
Тип транзистора:
N-канальный
LND150N8-G MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-89
MIC94053YC6-TR MIC94053YC6-TR Транзистор полевой MOSFET Р-канальный серия MIC94053 6В 84мОм 270мВт
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-363
TC1550TG-G TC1550TG-G Полевой транзистор N/P-канальный 500В 8-Pin SOIC N лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOIC8
TN2510N8-G TN2510N8-G Транзистор полевой N-канальный 100В 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
730мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом @ 750mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TN2524N8-G TN2524N8-G Полевой транзистор N-канальный 240В 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
360мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
6 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TP0610T-G TP0610T-G Транзистор полевой P-канальный 60В 0.12A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
10 Ом @ 200mА, 10В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
60пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TP2510N8-G TP2510N8-G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
480мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом @ 750mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: