Одиночные MOSFET транзисторы Microchip Technology Inc.

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
2N7000-G Транзистор полевой N-канальный 60В 200мА Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TO92-3
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 213 шт
Цена от:
от 4,58
APT5018SFLLG Производитель: Microchip Technology Inc.
APT7M120B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 8A TO247 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TO-247 [B] Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом @ 3А, 10В Мощность макс.: 335Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 1mA Заряд затвора: 80нКл @ 10В Входная емкость: 2565пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
DN2540N8-G Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 170 мА Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 25 Ом Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
DN3135K1-G Полевой транзистор N-канальный 350В 0.072A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 350В Ток стока макс.: 72мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 35 Ом @ 150mА, 0В Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 120пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
DN3545N3-G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 0.136А 0.74Вт Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 450В Ток стока макс.: 136мА Мощность макс.: 0.74Вт Тип транзистора: N-канальный
LND150N8-G MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89
MIC94053YC6-TR Транзистор полевой MOSFET Р-канальный серия MIC94053 6В 84мОм 270мВт Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-363
TC1550TG-G Полевой транзистор N/P-канальный 500В 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC8
TN2510N8-G Транзистор полевой N-канальный 100В 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 730мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом @ 750mА, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 125пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
TN2524N8-G Полевой транзистор N-канальный 240В 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 360мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 6 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 125пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
TP0610T-G Транзистор полевой P-канальный 60В 0.12A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 10 Ом @ 200mА, 10В Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 1mA Входная емкость: 60пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
TP2510N8-G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TO-243AA (SOT89) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 480мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом @ 750mА, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 1mA Входная емкость: 125пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице: