Одиночные MOSFET транзисторы IXYS Corporation

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

IXTH48N65X2 Транзистор полевой N-канальный 650В 48А 660Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 660Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 4420пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IXTH75N10L2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A TO-247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 (IXTH) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 21 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 215нКл @ 10В Входная емкость: 8100пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTH76P10T Транзистор полевой MOSFET P-канальный -100В -76А Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 76А Тип транзистора: P-канальный

Сообщить о поступлении

Акция

IXTH88N30P Транзистор полевой N-канальный 300В 88А 600Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 600Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 6300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTK120N25P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 (IXTK) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 185нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTK22N100L Полевой транзистор, N-канальный, 1000В 22А 700Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 22А Мощность макс.: 700Вт Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

IXTN210P10T Полевой транзистор P-канальный 100В 210A SOT-227 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 210А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Chassis Mount

Сообщить о поступлении

IXTP02N120P Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 1200 В 75 Ом 33 Вт монтаж на фланец Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Сопротивление открытого канала: 75Ом Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: силовой

Сообщить о поступлении

IXTP10P50P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 10A TO-220 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP3N50D2 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3А Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

IXTP80N10T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 230Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80А Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

IXTQ50N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50А 250В 60мОм [TO-3P] Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTR102N65X2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 54A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 54А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTT1N300P3HV Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3кВ 1A TO-268HV Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 3000В Ток стока макс.: 1А Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

IXTT1N450HV Транзистор полевой N-канальный 4500В 1A TO268 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-268AA Напряжение исток-сток макс.: 4500В (4.5kВ) Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 85 Ом @ 50mА, 10В Мощность макс.: 520Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 6.5В @ 250 µA Заряд затвора: 40нКл @ 10В Входная емкость: 1730пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTT6N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-268AA Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом @ 3А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 56нКл @ 10В Входная емкость: 1950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTY01N100D Полевой транзистор N-канальный 1000В 0.1A TO-252AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В (1kВ) Ток стока макс.: 100мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 110 Ом @ 50mА, 0В Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 120пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTY02N120P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 200MA DPAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 200мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 75 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 4.7нКл @ 10В Входная емкость: 104пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTY08N100D2 Полевой транзистор N-канальный 1кВ 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 21 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Заряд затвора: 14.6нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении