Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
-
Сортировать по:
SPP15N65C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 15А 156Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 156Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP15P10PLHXKSA1
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 15А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPP16N50C3
Полевой транзистор, N-канальный, 560 В, 16 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220-3
SPP20N60CFDXKSA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 200Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 124нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP21N50C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 560В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP24N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24.3A TO-220
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 160 мОм @ 15.4А, 10В
Мощность макс.: 240Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 1.2mA
Заряд затвора: 135нКл @ 10В
Входная емкость: 3000пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
SPU02N60C3BKMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.8А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPU02N60S5
Транзистор полевой N-канальный 600В 1.8A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 9.5нКл
Входная емкость: 240пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPW15N60C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPW20N60S5FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 103нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPW32N50C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 560В
Ток стока макс.: 32A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 284Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 4200пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPW35N60CFDFKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 34.1А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPW47N65C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 47А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPW52N50C3FKSA1
Полевой транзистор, N-канальный, 560 В, 52 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.