Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
-
Сортировать по:
IRLR3802PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 84 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRLR3915TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 30A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 92нКл
Входная емкость: 1870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR4132TRPBF
МОП-транзистор, N-канальный, 78 А, 30 В, 0.0025 Ом, 10 В, 2.35 В, [TO-252]
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 78А
Сопротивление открытого канала: 0.0025Ом
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR6225PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 100 А, 63Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRLR6225PBF
Транзистор полевой 20В 100A 4.0мОм 2.5В
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 100A
Тип транзистора: N-канал
IRLR7807ZTRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR7821PBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 65A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 65A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 1030пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR7821TRPBF
Полевой транзистор N-канальный 30В 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRLR7833PBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 140А 140Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 140A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 4010пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR7843PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161А 140Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 161A
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 4380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8103VPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 91 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 91A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 115Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 2672пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8256PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 81 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRLR8259PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 57 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 57A
Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8721PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 65 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 65A
Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм
Мощность макс.: 65Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 1030пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8726PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 86A
Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 2150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8729PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 58A
Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8729TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 58A
Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8743PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
Мощность макс.: 135Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 59нКл
Входная емкость: 4880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.