Одиночные MOSFET транзисторы GENESIC SEMICONDUCTOR

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (5)
G2R120MT33J Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3300В 34А Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 3300В Ток стока макс.: 34А Тип транзистора: N-канальный
G2R50MT33K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3300В 63А Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR Корпус: TO-247-4L Напряжение исток-сток макс.: 3300В Ток стока макс.: 63А Тип транзистора: N-канальный
G3R160MT12D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 19А 106Вт Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 19А Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
G3R20MT12K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 100А Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR Корпус: TO-247-4L Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный
G3R30MT12K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 70А Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR Корпус: TO-247-4L Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 70А Тип транзистора: N-канальный
На странице: