Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (287)

DMN3110S-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 73 мОм Мощность макс.: 740мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 305.8пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3150L-7 Транзистор полевой N-канальный 28В 3.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 28В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3150LW-7 Полевой транзистор, N-канальный, 28 В, 1.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 28В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN32D2LFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом @ 100mА, 4В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Входная емкость: 39пФ @ 3В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3300U-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 193пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

DMN3404L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8А 0.72Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 386пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3404LQ-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3730UFB4-7 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 750 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DFN3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 750мА Сопротивление открытого канала: 460 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.6нКл Входная емкость: 64.3пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3900UFA-7B Транзистор полевой N-канальный 30В 0.65A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 3-X2-DFN0806 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 550мА Сопротивление открытого канала: 760 мОм Мощность макс.: 390мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 42.2пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN4020LFDE-7 Полевой транзистор N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19.1нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN4060SVT-7 Полевой транзистор N-канальный 45В 4.8A автомобильного применения 6-Pin TSOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 45В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22.4нКл Входная емкость: 1287пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN53D0LW-7 Транзистор полевой N-канальный 50В 0.36A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 320мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.2нКл Входная емкость: 45.8пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN55D0UT-7 Полевой транзистор N-канальный 50В 0.16A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 160мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 25пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN55D0UTQ-7 Транзистор полевой N-канальный 50В 0.16A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 0.16A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

DMN5L06K-7 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 300 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN5L06KQ-7 Полевой транзистор N-канальный 50В 0.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 0.3A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN601TK-7 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN6040SSDQ-13 Транзистор полевой N-канальный 60В 5A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

DMN6040SVT-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22.4нКл Входная емкость: 1287пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN6068LK3-13 Транзистор полевой N-канальный 60В 6А 8.49Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 2.12Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10.3нКл Входная емкость: 502пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении