- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
DMN2058U-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 4.6A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.6A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 1.13Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±12В
Заряд затвора: 7.7нКл
Входная емкость: 281пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2065UW-7
Полевой транзистор N-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.8A
Сопротивление открытого канала: 56 мОм
Мощность макс.: 430мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 5.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2075U-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 38 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 7нКл
Входная емкость: 594.3пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2100UDM-7
Полевой транзистор N-канальный 20В 4A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Входная емкость: 555пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2230U-7
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 2 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 600мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Входная емкость: 188пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2300UFB4-7B
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.3 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.3A
Сопротивление открытого канала: 175 мОм
Мощность макс.: 470мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ
Заряд затвора: 1.6нКл
Входная емкость: 64.3пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2400UFB-7
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 750 мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: 3-X1DFN1006
DMN2600UFB-7
Транзистор полевой N-канальный 25В 1.3A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 1.3A
Сопротивление открытого канала: 350 мОм
Мощность макс.: 540мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 0.85нКл
Входная емкость: 70.13пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN26D0UFB4-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 0.24A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 230мА
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
Входная емкость: 14.1пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN26D0UT-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-523
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 230мА
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Входная емкость: 14.1пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2990UFA-7B
Полевой транзистор N-канальный 20В 0.51A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: 3-X2-DFN0806
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 510мА
Сопротивление открытого канала: 990 мОм
Мощность макс.: 400мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 0.5нКл
Входная емкость: 27.6пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2990UFZ-7B
Транзистор полевой N-канальный 20В 0.25A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: X2-DFN0606-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 250мА
Сопротивление открытого канала: 990 мОм
Мощность макс.: 320мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 0.5нКл
Входная емкость: 55.2пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN3010LK3-13
Полевой транзистор N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13.1A(Ta),43A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 37нКл @ 10В
Входная емкость: 2075пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
DMN3016LFDE-13
Транзистор полевой N-канальный 30В 10A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: uDFN6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 12 мОм
Мощность макс.: 730мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 25.1нКл
Входная емкость: 1415пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN3016LFDE-7
Транзистор полевой N-канальный 30В 10A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: uDFN6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 12 мОм
Мощность макс.: 730мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 25.1нКл
Входная емкость: 1415пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN3026LVT-7
Транзистор полевой N-канальный 30В 6.6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6.6A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 1.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 12.5нКл
Входная емкость: 643пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN3032LE-13
Транзистор полевой N-канальный 30В 5.6A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 29 мОм
Мощность макс.: 14Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 11.3нКл
Входная емкость: 498пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN3033LSN-7
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 10.5нКл
Входная емкость: 755пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN3042L-7
Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.8A
Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм
Мощность макс.: 720мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±12В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 860пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN3065LW-7
Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 770мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 11.7нКл
Входная емкость: 465пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара