- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
DMC3400SDW-7
Транзистор полевой N/P-канальный 30В 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 0.65A/0.45A
Тип транзистора: N/P-канал
Тип монтажа: Surface Mount
DMG1012T-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-523
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 630мА
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 280мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 0.74нКл
Входная емкость: 60.67пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG1012UW-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 290мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 0.74нКл
Входная емкость: 60.67пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG1013T-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.46A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-523
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 460мА
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 270мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 0.622нКл
Входная емкость: 59.76пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG1013UW-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.82A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 820мА
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 310мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 0.622нКл
Входная емкость: 59.76пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG2301U-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 2.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 6.5нКл
Входная емкость: 608пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG2302U-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 7нКл
Входная емкость: 594.3пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG2302UK-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.8A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
DMG2305UX-13
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Заряд затвора: 10.2нКл
Входная емкость: 808пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG2305UX-7
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Заряд затвора: 10.2нКл
Входная емкость: 808пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
DMG2307L-7
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.5A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 760мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 371.3пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
DMG3402L-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 11.7нКл
Входная емкость: 464пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG3414U-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 780мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Заряд затвора: 9.6нКл
Входная емкость: 829.9пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG3414UQ-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 780мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: ±8В
Заряд затвора: 9.6нКл
Входная емкость: 829.9пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG3415U-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 4A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 39 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 9.1нКл
Входная емкость: 294пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG3418L-7
Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 5.5нКл
Входная емкость: 464.3пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG3420U-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 5.47A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 5.47A
Сопротивление открытого канала: 29 мОм
Мощность макс.: 740мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Заряд затвора: 5.4нКл
Входная емкость: 434.7пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG4413LSS-13
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10.5 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10.5A
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 4965пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG4435SSS-13
Транзистор полевой P-канальный 30В 7.3A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.3A
Сопротивление открытого канала: 16 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 35.4нКл
Входная емкость: 1614пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG4800LSD-13
Транзистор полевой N-канальный 30В 7.5A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.5A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара