Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
ZXMP6A17E6TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-26 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.7нКл Входная емкость: 637пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMP6A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 125 мОм @ 2.2А, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 17.7нКл @ 10В Входная емкость: 637пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
ZXMP6A18DN8TC DUAL -60V -5A 55mOhm SO-8 Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
ZXMP7A17GQTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 2.6A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 70В Ток стока макс.: 2.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 160 мОм @ 2.1А, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 635пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount
ZXMP7A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 3.7A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 70В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMS6004DGTA IC LOW SIDE DRIVER SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Сопротивление открытого канала: 500мОм Тип транзистора: N-канальный Особенности: Self Protected Low Side Тип монтажа: Surface Mount
ZXMS6004FFQTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мОм встроенная защита Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Сопротивление открытого канала: 500мОм Тип транзистора: N-канальный
На странице: