Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (287)

ZXMN6A07FTA Транзистор полевой N-канальный 60В 1.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 3.2нКл Входная емкость: 166пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A07ZTA Транзистор полевой N-канальный 60В 1.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 3.2нКл Входная емкость: 166пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A08E6TA Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.8нКл Входная емкость: 459пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A08KTC Транзистор полевой N-канальный 60В 5.36A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.36A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 2.12Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5.8нКл Входная емкость: 459пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A09GTA Транзистор полевой N-канальный 60В 6.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24.2нКл Входная емкость: 1407пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A11GTA Полевой транзистор N-канальный 60В 3.1A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5.7нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A11ZTA Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.7нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A25KTC Транзистор полевой N-канальный 60В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 2.11Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20.4нКл Входная емкость: 1063пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN7A11GQTA Производитель: Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMP10A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 600мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 600mА, 10В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 3.5нКл @ 10В Входная емкость: 141пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A17GTA Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 1.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 10.7нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A18GTA Транзистор полевой P-канальный 100В 3A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26.9нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A18KTC Полевой транзистор P-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2.17Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26.9нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP2120FFTA Полевой транзистор, P-канальный, 200 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23F

Сообщить о поступлении

ZXMP3A13FTA Полевой транзистор P-канальный 30В 1.6A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 210 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 206пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP4A16GTA Транзистор полевой P-канальный 40В 6.4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 26.1нКл Входная емкость: 1007пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A13FTA Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.9нКл Входная емкость: 219пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A13GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 390 мОм @ 900mА, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 5.9нКл @ 10В Входная емкость: 219пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A16KTC Транзистор полевой P-канальный 60В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 2.11Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 24.2нКл Входная емкость: 1021пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A17E6QTA Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 17.7нКл Входная емкость: 637пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении