Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
ZXMN10A08GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 2A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A09KTC Транзистор полевой N-канальный 100В 5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 2.15Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1313пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A11GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4А Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A11KTC Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2.11Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 274пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A25GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 2.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 859пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10B08E6TA Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 497пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN15A27KTC Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO-252-3
ZXMN20B28KTC Транзистор полевой N-канальный 200В 1.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 2.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 8.1нКл Входная емкость: 358пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2A01FTA Транзистор полевой N-канальный 20В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 303пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2A03E6TA Транзистор полевой N-канальный 20В 3.6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 837пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2A14FTA Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.6нКл Входная емкость: 544пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2B03E6TA Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2F30FHTA Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 452пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3A01E6TA Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3A01FTA Транзистор полевой N-канальный 30В 1.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3A14FTA Полевой транзистор N-канальный 30В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 448пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3B14FTA Полевой транзистор N-канальный 30В 2.9A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 568пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3F30FHTA Транзистор полевой N-канальный 30В 3.8A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 950мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 318пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN4A06KTC Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 2.15Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 827пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN6A07FQTA Полевой транзистор N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.2A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
На странице: