- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
ZVN2120GTA
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 320 мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 10 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 85пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN3306FTA
Транзистор полевой N-канальный 60В 150мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 150мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 35пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN3310FTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 0.1A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 100мА
Сопротивление открытого канала: 10 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN3320FTA
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.06A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 60мА
Сопротивление открытого канала: 25 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 45пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4106FTA
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 200мА
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 35пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4206GVTA
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4210A
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 450 мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 450мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN4210GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 800мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 800мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4306AV
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1.1 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
ZVN4310GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.67A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.67A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4424ASTZ
Транзистор полевой N-канальный 240В 0.26A Aвтомобильного применения 3-Pin E-Line Box
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 240В
Ток стока макс.: 260мА
Сопротивление открытого канала: 5.5 Ом
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN4424GTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 500MA SOT223
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 240В
Ток стока макс.: 500мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 5.5 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 1mA
Входная емкость: 200пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4525E6TA
MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 230мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 1mA
Заряд затвора: 3.65нКл @ 10В
Входная емкость: 72пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4525GTA
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 310 мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 310мА
Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Заряд затвора: 3.65нКл
Входная емкость: 72пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVNL110GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 600мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 600мА
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVP0545GTA
Транзистор полевой P-канальный 450В 0.075A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 450В
Ток стока макс.: 75мА
Сопротивление открытого канала: 150 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Входная емкость: 120пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVP2106A
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.28A автомобильного применения 3-Pin E-Line
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 280мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVP2106GTA
Транзистор полевой P-канальный 60В 450мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 450мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVP2110GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 310мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 310мА
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVP2120GTA
Транзистор полевой P-канальный 200В 0.2A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 200мА
Сопротивление открытого канала: 25 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара