- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
DMP4050SSS-13
Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 1.56Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 13.9нКл
Входная емкость: 674пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP4065S-7
Транзистор полевой P-канальный 40В 2.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 720мВт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 12.2нКл
Входная емкость: 587пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP6110SFDF-7
Транзистор полевой P-канальный 60В 3.5A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3.5A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
DMP6180SK3-13
Транзистор полевой P-канальный 60В 14A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
Заряд затвора: 17.1нКл
Входная емкость: 984.7пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP6180SK3Q-13
Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 17.1нКл
Входная емкость: 984.7пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMS3015SSS-13
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: 8-SO
DMT3006LFDF-13
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 14.1А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
DMTH10H017LPDQ-13
Производитель: Diodes Incorporated
DMTH4007LPS-13
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 15.5A 6.5мОм 2.7Вт
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: PowerDI5060-8 (4.9x5.8)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 15.5А
Сопротивление открытого канала: 6.5мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канальный
DMTH6010LPDQ-13
Полевой транзистор N-канальный 60В 13.1A автомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 13.1A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
DMTH6016LPDQ-13
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.2A 8-Pin PowerDI EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 9.2А
Тип транзистора: N-канальный
DSS2515M-7B
Биполярный транзистор NPN 15V 0.5A DFN1006-3
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-883
MMBF170-7-F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 416 шт
Цена от:
от 2,58₽
MMBF170Q-7-F
Полевой транзистор N-канальный
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Surface Mount
VN10LFTA
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.15A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 150мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 60пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN0124A
Полевой транзистор, N-канальный, 240 В, 0.16 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 240В
Ток стока макс.: 160мА
Сопротивление открытого канала: 16 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 85пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN0545GTA
Транзистор полевой N-канальный 450В 140мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 450В
Ток стока макс.: 140мА
Сопротивление открытого канала: 50 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 70пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN2106GTA
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.71A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 710мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
![]()
ZVN2110A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 320мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN2110A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 320мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN2110GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 500мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара